离子束刻蚀方法的功能特点

1. 刻蚀材料通用性：
Ar 、Kr 、和Xe 离子束刻蚀属于纯物理溅射过程，因而可刻蚀任何材料。在相同刻蚀条件下，刻蚀速率（ER）因材料而异。在Ar 离子能量500eV，束流密度1mA/cm2和垂直入射材料表面的标准刻蚀条件下，刻蚀速度zui低和zui高的材料为C和Bi，分别为ER（C）=11nm/min和ER(Bi)=880nm/min。
2. 图形转移基本方法：
2. 1Ar 离子束刻蚀可将三维掩模图形高保真度地转移为衬底表面三维图形。在标准刻蚀条件下，绝大多数单质和化合物衬底材料刻蚀速率都高于30nm/min，在刻蚀深度要求2μm~4μm以下、材料刻蚀速成率高于胶的刻蚀速率和刻蚀线条深宽比小于1：1时，通常可采用正胶（如AZ5214PR）掩模或采用双层材料掩模。
2. 2如果要求刻蚀深度更大，可采用化学辅助离子束刻蚀（CAIBE）方法，不仅可有效增加掩模材料与衬底材料的ER选择比、减小掩模厚度要求，提高刻蚀线宽精细度和改善转移图形的保真度（提高刻蚀沟槽边壁垂直度、减小或消除二次溅射效应和改善槽底面平整度），而且在辅助气体作用下，还可显著提高衬底材料的EP和刻蚀图形的深宽比。
2. 3具有高各向异性干法刻蚀方法的zui高分辨率
离子束刻蚀属于原子级加工手段，特别是Ar 离子溅射过程不存在侧向腐蚀，具有ding级刻蚀分辨率，理论上认为可刻蚀几个原子尺寸的结构。迄今为止，IBM专家采用电